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G06NP06DS2	文件：1.22796 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G06NP06D；Package：SOP-8Dual；N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G06NP06DS2 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.22796 Mbytes 页数：10 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G06NP06DS2	文件：300 bytes Page：1 Pages	60/-60V N+P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N+P channel
ESD：
NO
VDS：
60/-60V
Id at 25℃(max)：
3A/-6A
PD(max)：
1.7W/2.8W
Vgs(th)typ(V)：
0.9V/-1.7V
RDS(on)(typ)(@10V)：
63mΩ/360mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
66mΩ/73mΩ
Qg(nC)：
6/29
Ciss：
454/1476
Crss：
25/65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G06NP06DS2供应商更新时间2025-12-1 11:06:00

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