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G06N02H

丝印:G06N02;Package:SOT-223;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G06N02H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application ⚫ Power switch ⚫ DC/DC converters

文件:557.4 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

G06N02H

20V N Channel TRENCH MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

NDT06N02

N-Channel MOSFET

文件:1.9887 Mbytes 页数:5 Pages

KEXIN

科信电子

06N02

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.68926 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

06N02

N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET

文件:1.46987 Mbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

06N02

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.68913 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS(min):

    20V

  • Id at 25℃(max):

    6A

  • PD(max):

    1.8W

  • Vgs(th)typ(V):

    0.7V

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    11.4mΩ

  • Qg(nC):

    12.5

  • Ciss:

    1140

  • Crss:

    110

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
SOT-223
986966
国产
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更多G06N02H供应商 更新时间2025-12-11 14:01:00