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G048N04T	文件：978.33 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G048N04；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G048N04T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：978.33 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G048N04T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
IIPP048N04N	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP048N04N	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP048N04NG	文件：1.66936 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：1.66936 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS：
40V
Id at 25℃(max)：
150A
PD(max)：
130W
Vgs(th)typ(V)：
1.7V
RDS(on)(typ)(@10V)：
2.6mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
3.6mΩ
Qg(nC)：
117
Ciss：
6561
Crss：
548

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多G048N04T供应商更新时间2025-10-8 11:06:00

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