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G040P04T	文件：915.23 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G040P04；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G040P04T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：915.23 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G040P04T	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V P Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G040P04M	文件：915.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G040P04M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：915.68 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
P channel
ESD：
NO
VDS：
-40V
Id at 25℃(max)：
-222A
PD(max)：
312W
Vgs(th)typ(V)：
-1.6V
RDS(on)(typ)(@10V)：
2.9mΩ
RDS(on)(typ)(@4.5V)：
3.7mΩ
Qg(nC)：
206
Ciss：
15087
Crss：
1401

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更多G040P04T供应商更新时间2025-10-7 11:06:00

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