P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G030P04T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

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GOFORD

谷峰半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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谷峰半导体

微功率1～3W G_S-2WR2系列，2W，DC-DC模块电源（19.5*9.8*12.5mm）

是小体积，高效率的微小功率隔离非稳压输出DC/DC模块电源。 ○ 特点：定电压输入，隔离非稳压双路输出，1W功率○ 隔离电压：6000Vdc\n○ 效率 高达 ：86%\n○ 工作环境温度：-40°C～+ 85°С\n○ MTBF≥350万小时 (35×105Hrs)\n○ 符合RoHS指令\n○ 线性调节率 (输入电压变化±1%时)：±1.2% \n○ 负载调节率(10%-100%满载) ：15%\n○ 纹波 / 噪声(20MHz带宽) 150mVp-p \n○ 小型SIP封装\n○ 无需外加元件\n○ 短路保护，自动恢复\n○ 塑料外壳，满足UL94-V0要求;

HUIZHI

汇智

微功率1～3W G_S-2WR2系列，2W，DC-DC模块电源（19.5*9.8*12.5mm）

是小体积，高效率的微小功率隔离非稳压输出DC/DC模块电源。 ○ 特点：定电压输入，隔离非稳压双路输出，1W功率○ 隔离电压：6000Vdc\n○ 效率 高达 ：86%\n○ 工作环境温度：-40°C～+ 85°С\n○ MTBF≥350万小时 (35×105Hrs)\n○ 符合RoHS指令\n○ 线性调节率 (输入电压变化±1%时)：±1.2% \n○ 负载调节率(10%-100%满载) ：15%\n○ 纹波 / 噪声(20MHz带宽) 150mVp-p \n○ 小型SIP封装\n○ 无需外加元件\n○ 短路保护，自动恢复\n○ 塑料外壳，满足UL94-V0要求;

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微功率1～3W G_S-1WR2系列，1W,DC-DC模块电源（19.5*9.8*12.5mm）

是小体积，高效率的微小功率隔离非稳压输出DC/DC模块电源。 ○  特点：定电压输入，隔离非稳压双路输出，1W功率○  隔离电压：6000Vdc\n○  效率 高达 ：80%\n○  工作环境温度：-40°C～+ 85°С\n○  MTBF≥350万小时 (35×105Hrs)\n○  符合RoHS指令\n○  线性调节率 (输入电压变化±1%时)：±1.2% \n○  负载调节率(10%-100%满载) ：15%\n○  纹波 / 噪声(20MHz带宽) 150mVp-p \n○  小型SIP封装\n○  无需外加元件\n○  短路保护，自动恢复\n○  塑料外壳，满足UL94-V0要求;

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