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FZT857TC

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 3.5A SOT223-3

DIODES

美台半导体

GBC857

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件:212.83 Kbytes 页数:2 Pages

GTM

勤益投资控股

GBC857

The GBC857 is designed for switching and AF amplifier application, suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits

文件:214.59 Kbytes 页数:2 Pages

ETL

亚历电子

GSBC857

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

文件:148.83 Kbytes 页数:2 Pages

GTM

勤益投资控股

产品属性

  • 产品编号:

    FZT857TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    345mV @ 600mA,3.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 3.5A SOT223-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Diodes Incorporated
2022+
SOT-223
38550
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Diodes Incorporated
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2025+
SOT-223-3
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更多FZT857TC供应商 更新时间2026-1-30 15:01:00