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FZ1200R33KL2	文件：164.99 Kbytes Page：9 Pages	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values IGBT-Modules 文件：164.99 Kbytes 页数：9 Pages	EUPEC	EUPEC
FZ1200R33KL2C	文件：278.33 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-modules IGBT-modules 文件：278.33 Kbytes 页数：8 Pages	EUPEC	EUPEC
FZ1200R45HL3	文件：531.83 Kbytes Page：9 Pages	IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode Electrical Features • High DC stability • High dynamic robustness • High short-circuit capability • Low VCEsat • Trench IGBT 3 • VCEsat with positive temperature coefficient Mechanical Features •AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • Package with CTI > 600 • IHM B 文件：531.83 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R45HL3_S7	文件：677.78 Kbytes Page：15 Pages	IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode Features Electrical features - VCES = 4500 V - IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A - High DC stability - High short-circuit capability - High dynamic robustness - Low VCE,sat - Trench IGBT 3 - VCE,sat with positive temperature coefficient Mechanical features - AlSiC base plate for increased 文件：677.78 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R45HL4	文件：918.63 Kbytes Page：15 Pages	IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode Features • Electrical features - VCES = 4500 V - IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A - High DC stability - High short-circuit capability - High dynamic robustness - Low VCE,sat - Trench IGBT 4 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - AlSiC base plate for incre 文件：918.63 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R45HL4_S7	文件：919.11 Kbytes Page：15 Pages	IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode Features • Electrical features - VCES = 4500 V - IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A - High DC stability - High short-circuit capability - High dynamic robustness - Low VCE,sat - Trench IGBT 4 - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - AlSiC base plate for incre 文件：919.11 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R45KL3_B5	文件：445.96 Kbytes Page：15 Pages	Highly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode Features • Electrical features - VCES = 4500 V - IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A - High DC stability - High dynamic robustness - Low VCE,sat - Trench IGBT 3 - VCE,sat with positive temperature coefficient - High short-circuit capability • Mechanical features - High creepage and clearanc 文件：445.96 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R12HE4	文件：609.09 Kbytes Page：9 Pages	IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：609.09 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R12HE4P	文件：584.89 Kbytes Page：9 Pages	IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 文件：584.89 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FZ1200R12HP4	文件：1.04152 Mbytes Page：9 Pages	IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 文件：1.04152 Mbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Single switch
Technology：
IGBT4 - E4
IC(nom) / IF(nom)：
1200 A
OPN：
FZ1200R12HE4HOSA2
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.75 V
VF Tvj=25°C typ：
1.8 V
Qualification：
Industrial
Housing：
IHM B
Dimensions length：
130 mm
Dimensions width：
140 mm
Package name：
AG-IHMB130

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