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FXT555	文件：42.33 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * 150 Volt VCEO * 1 Amp continuous current * Ptot= 1 Watt 文件：42.33 Kbytes 页数：1 Pages	Zetex	Zetex
FXT555	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
GPNE555	文件：499.48 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE TIMER 文件：499.48 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
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GSCNE555	文件：519.059 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE TIMER 文件：519.059 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM

详细参数

型号：
FXT555
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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