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FZT649	文件：38.38 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=3A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=25V ●Lowsaturationvoltage ●ComplementarytoFZT749	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT649	文件：103.68 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT649	文件：28.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FZT649	文件：91.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR FEATURES 25VoltVCEO 3Ampcontinuouscurrent Lowsaturationvoltage ExcellenthFEspecifiedupto6A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT649	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT649	文件：143.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FZT649TA	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT649TC	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>25V •IC=3AHighContinuousCurrent •ICM=8APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
G649D	文件：928.82 Kbytes Page：11 Pages	LiquidCrystalDisplayModules [SeikoInstrumentsGmbH] DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: •Slim,lightweightandlowpowerconsumption •Highcontrastandwideviewingangle •Built-incontrollerforeasyinterfacing •LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
G649D	文件：1.76303 Mbytes Page：29 Pages	LIQUIDCRYSTALDISPLAYMODULE DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: •Slim,lightweightandlowpowerconsumption •Highcontrastandwideviewingangle •Built-incontrollerforeasyinterfacing •LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII

详细参数

型号：
FXT649STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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