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FZT605	文件：70.95 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERDARLINGTONTRANSISTORS FEATURES GuaranteedhFESpecifiedupto2A FastSwitching	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT605	文件：75.61 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERDARLINGTONTRANSISTORS FEATURES GuaranteedhFESpecifiedupto2A FastSwitching	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT605	文件：85.74 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARMEDIUM Features •BVCEO>120V •BVCBO>140V •IC=1.5AHighContinuousCurrent •hFE>2kforHighGain@1A •Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability Applications •Lamp •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT605TA	文件：424.91 Kbytes Page：7 Pages	120VNPNDARLINGTONTRANSISTORINSOT223	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT605TC	文件：424.91 Kbytes Page：7 Pages	120VNPNDARLINGTONTRANSISTORINSOT223	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
GBJ605	文件：66.89 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE6.0AMPBRIDGERECTIFIERS SINGLEPHASE6.0AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Idealforprintedcircuitboard Lowforwardvoltage Mountingposition:Any Lowleakagecurrent	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
GBJ605	文件：67.57 Kbytes Page：2 Pages	GBJ801GBJ802GBJ803GBJ804GBJ805GBJ806GBJ807	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
GBP605	文件：86.06 Kbytes Page：2 Pages	6.0ABRIDGERECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
GBP605	文件：88.93 Kbytes Page：2 Pages	6.0ABRIDGERECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
GBU605	文件：59.13 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase6.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES -Idealforprintedcircuitboard -Highcasedielectricstrengthof1500VRMS -Highsurgecurrentcapability -TypicalIRlessthan0.1μA -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

详细参数

型号：
FXT605STOB
功能描述：
达林顿晶体管 -
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FXT605STOB供应商更新时间2025-5-8 16:30:00

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