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FXLA2203

Dual-Mode Dual-SIM Card Level Translator; •易用的“单引脚”SIM 卡切换控制\n•通道切换时间: 130 ns(典型值)\n•同时双模双 SIM 卡通信\n•主机端口: 1.65 V 至 3.6 V 电压转换\n•卡端口: 1.65 V 至 3.6 V 电压转换\n•充分利用现有的 PMIC LDO\n•符合 ISO7816 标准\n•功率开关 RON: 0.5Ω(典型值)\n•支持 B 类 3 V SIM / UIM卡\n•支持 C 类: 1.8 V SIM / UIM 卡\n•非优先主机 VCC上电时序\n•激活/禁用计时符合 ISO7816-03 标准\n•双向 I/O 引脚采用内部上拉电阻\n•如果 Host VCC处于 GND 状态,则输出将会切换至 3 态\n•断电保护\n•不需要方向控制\n•24 引脚 UMLP 封装(2.5 mmx3.5 mm)\n•静电放电保护超过 18 kV IEC 61000-4-2(系统级静电放电)\n;

FXLA2203 允许两个主机同时与两个客户身份模块 (SIM) 或两个用户身份模块 (UIM) 通信。 双模指的是移动电话同时兼容多种数据传输或网络形式(如 GSM、CDMA、WCDMA、TDSCDMA 或 CDMA2000),其结果是双基带处理器配置。 在双通道模式应用中,FXLA2203 主机端口直接与基带处理器接口。 双向 I/O 漏极开路通道具有自动导向和内部 10 KΩ 上拉电阻。 RST 和 CLK 仅提供主机到卡单向转换。 通过置位以下单一控制引脚,任一主机可切换SIM卡槽: CH_Swap。 典型的通道切换时间为 130 ns。 FXLA2203 不包含内部低压差稳压器 (LDO)。 相反,FXLA2203 架构集成了两个低 RON 内部功率开关,用于将现有的PMIC(功率管理集成电路)LDO 路由至各个 SIM 卡槽。 这可降低整体系统功率,利用现有 LDO 系统资源,而且符合将 LDO 集中到 PMIC 加强功率管理的理念。 由于 FXLA2203 不阻止 LDO 功能到 SIM 卡,主机、PMIC 和 SIM 卡之间维持了现有的激活/禁用时序透明度。 该器件允许的电压转换范围为最高 3.6 V,最低 1.65 V。 每一端口跟踪其各自端口的电源。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FXLA2203

Dual-Mode, Dual-SIM-Card Level Translator

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FXLA2203

Dual-Mode, Dual-SIM-Card Level Translator

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FXLA2203UMX

Dual-Mode, Dual-SIM-Card Level Translator

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FXLA2203UMX

Package:24-UFQFN;包装:管件 类别:集成电路(IC) 专用 描述:IC INTERFACE SPECIALIZED 24UMLP

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

技术参数

  • Compliance:

    Pb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     Dual-Mode Dual-SIM Card Level Translator 

  • Channels:

    2

  • Input Level:

    CMOS

  • VCC Min (V):

    1.65

  • VCC Max (V):

    3.6

  • IO Max (mA):

    50

  • Package Type:

    UQFN-24

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FAIRCHILD/仙童
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更多FXLA2203供应商 更新时间2025-7-30 15:01:00