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FX6ASJ-03

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 0.29 Ω • ID : – 6 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 40 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

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RENESAS

瑞萨

FX6ASJ-03

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

FX6ASJ-03

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

FX6ASJ-03-T13

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : – 30 V • rDS(ON) (max) : 0.29 Ω • ID : – 6 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 40 ns Applications Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

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RENESAS

瑞萨

FX6ASJ-03_06

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

FX6ASJ-03-T13

High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET

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RENESAS

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    MP3A

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -30

  • ID (A):

    -6

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    0.29

  • Ciss (pF) 典型值:

    550

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FX6ASJ-03供应商 更新时间2026-1-30 17:32:00