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FX20KMJ-3	文件：50.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................. –150V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.29Ω • ID .................................................................... –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：50.27 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
FX20KMJ-3	文件：55.55 Kbytes Page：4 Pages	Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE • 4V DRIVE • VDSS ............................................................. –150V • rDS (ON) (MAX) ................................................ 0.29Ω • ID .................................................................... –20A • Integrated Fast Recovery Diod 文件：55.55 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FX20KMJ-3	文件：173.33 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –150 V • rDS(ON) (max) : 0.29 Ω • ID : –20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：173.33 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FX20KMJ-3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
FX20KMJ-3-A8	文件：173.33 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : –150 V • rDS(ON) (max) : 0.29 Ω • ID : –20 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 100 ns • Viso : 2000 V Applications Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc. 文件：173.33 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO220FN
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-150
ID (A)：
-20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.29
Ciss (pF) 典型值：
4470
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多FX20KMJ-3供应商更新时间2025-10-13 8:31:00

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