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FW217A

N-Channel Power MOSFET

文件:348.98 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FW217A

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

文件:347.89 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

FW217A-TL-2W

N-Channel Power MOSFET

文件:348.98 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FW217A

N 沟道,功率 MOSFET,35V,6A,39mΩ

FW217A is an N-Channel Power MOSFET, 35V, 6A, 39mΩ, Dual SOIC8 for General Purpose Switching Device Application. • Low On-Resistance\n• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance\n• Low Capacitance\n• ESD Diode - Protected Gate\n• 4.5V Drive\n;

ONSEMI

安森美半导体

FW217A-TL-2WX

包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET N-CH 35V 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    35

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.6

  • ID Max (A):

    6

  • PD Max (W):

    1.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=70

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1=Q2=39

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    10

  • Ciss Typ (pF):

    470

  • Package Type:

    SOIC-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FW217A供应商 更新时间2025-12-24 10:02:00