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MCU60N04	文件：383.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ME60N04	文件：1.00003 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME60N04T	文件：968.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
N60N04VDK	文件：272.04 Kbytes Page：8 Pages	40V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04HLF	文件：317.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04HLF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04ILF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04ILF	文件：299.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04KUG	文件：345.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	FTK60N04D	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
深圳兆威电子有限公司	FTK6401	FS	23+	SOT-23	45000	原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FTK6601S	FIRSTSILICON	23+	SOP-8	69000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FTK6909T	FS	2022+	SOT-223	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FTK6909T	FS	2022+	SOT-223	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FTK6909T	FS	20+	SOT-223	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价

更多FTK60N04D供应商更新时间2025-7-20 14:01:00

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