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GRF2011	文件：811.26 Kbytes Page：11 Pages	BroadbandLinearGainBlock0.05to3.8GHz	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRHI-2011	文件：165.08 Kbytes Page：1 Pages	ASSEMBLYDRAWINGHIGHIMPACTROCKERSWITCH1.124x.550PANEL	CWIND CW Industries	CWIND
H2011U	文件：722.64 Kbytes Page：5 Pages	4&6TumblerPowerSwitchlocks Features/Benefits •Positivedetent •Multi-poleandmulti-position •Snap-togetherassembly •Powerswitching	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
HAF2011	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2011	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011(L)_15	文件：137 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011L	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011L	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2011S	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2011S	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
FTD2011
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Load Switching Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市利加科技有限公司	FTD2011	SANYO	16+	MSOP	1033	全新原装现货	询价
深圳市英卓尔科技有限公司	FTD2011	S	20+	TSSOP8	2960	诚信交易大量库存现货	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FTD2011	SANYO	1709+	TSSOP-8	32500	普通	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FTD2011	SANYO/三洋	23+	TSSOP8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市跃创芯科技有限公司	FTD2011	SANYO/三洋	22+	TSSOP8	25000	只有原装绝对原装,支持BOM配单!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	FTD2011	SANYO/三洋	24+	NA/	100	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FTD2011	SANYO	23+	TSSOP	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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