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B245AE	文件：315.63 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications TheSchottkyrectifierprovidinglowVFandexcellentreverseleakagestabilityathightemperatures,thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplicationssuchas: •BoostDiode •BlockingDiode •RecirculatingDiode FeaturesandBenefits •Reduced	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B245AF	文件：567.07 Kbytes Page：5 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
B245BE	文件：315.63 Kbytes Page：6 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications TheSchottkyrectifierprovidinglowVFandexcellentreverseleakagestabilityathightemperatures,thisdeviceisidealforuseingeneralrectificationapplicationssuchas: •BoostDiode •BlockingDiode •RecirculatingDiode FeaturesandBenefits •Reduced	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BCT245	文件：597.31 Kbytes Page：20 Pages	OCTALBUSTRANSCEIVERSOCTALBUSTRANSCEIVERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BD245	文件：149.77 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=10A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min)-BD245;60V(Min)-BD245A 80V(Min)-BD245B;100V(Min)-BD245C •ComplementtoTypeBD246/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepowera	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD245	文件：144.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3PNpackage •ComplementtotypeBD246/A/B/C APPLICATIONS •Foruseinmediumpowerlinear andswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD245	文件：107.7 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththe BD246Series ●80Wat25°CCaseTemperature ●10AContinuousCollectorCurrent ●15APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BD245	文件：146.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD245	文件：134.97 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
FT245BM
功能描述：
先进先出 Obsolete See FT245RL
RoHS：
否
制造商：
IDT
数据总线宽度：
18 bit
总线定向：
Unidirectional
存储容量：
4 Mbit
定时类型：
Synchronous
组织：
256 K x 18
最大时钟频率：
100 MHz
访问时间：
10 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
6 V
最大工作电流：
35 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装/箱体：
TQFP-80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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