| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝NA/ |
3350 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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SPTECH(深圳质超)TO3PN |
6000 |
23+ |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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TOSHIBA(东芝)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TOSHIBA/东芝TSOP20 |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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TOSHIBATSOP20 |
35000 |
2020+ |
公司100%原装现货,价格优势特价热卖,量大可订。 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-218 |
15000 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TSOP20 |
100 |
23+ |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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STCAN |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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TOSHIBATSOP20 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TSOP20 |
68900 |
TOSHIBA |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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TI |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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TI |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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TOSHIBA(东芝)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝TSOP20 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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TSSOP-20 |
2158 |
1604+ |
低价支持实单,可送样品! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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TOSHIBA/东芝TSOP20 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBATSOP20 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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TOSHIBATSOP20 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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STSDM/DIP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
BD245采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD245图片
BD245中文资料Alldatasheet PDF
更多BD245功能描述:两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245A功能描述:两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245B功能描述:两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245C功能描述:两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD245-S功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD213-45,BD249,BD257/45,TIP33,3DD68B,
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
80
