20 A，120 V 超低 VF 肖特基整流器

• 超低正向压降\n• 较低热阻\n• 极薄的外形： 典型高度为 1.1 mm\n• 沟道肖特基技术\n• 符合 RoHS 标准\n• 符合 IEC61249 标准的绿色塑封材料\n• 不含铅，符合 EU RoHS 2011/65/EU 法令;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FSV20120V；Package：TO-2773；Ultra-Low VF Schottky Rectifier, 20 A, 120 V

文件：186.51 Kbytes 页数：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：剪切带（CT）带盒（TB） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO277-3

ONSEMI

安森美半导体

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multi-layer Metal -Silicon Potential Structure ·Low Leakage Current ·High Current Capability, High Efficiency ·High Junction Temperature Capability

文件：311.3 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件：586.94 Kbytes 页数：8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

SCHOTTKY BARRIER DIODE

文件：586.94 Kbytes 页数：8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司