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FSV20120V	文件：186.51 Kbytes Page：5 Pages	Marking：FSV20120V；Package：TO-2773；Ultra-Low VF Schottky Rectifier, 20 A, 120 V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FSV20120V	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO277-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
GSMBRTL20120	文件：311.3 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·Multi-layerMetal-SiliconPotentialStructure ·LowLeakageCurrent ·HighCurrentCapability,HighEfficiency ·HighJunctionTemperatureCapability	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HBR20120U	文件：586.94 Kbytes Page：8 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
HBR20120UB	文件：586.94 Kbytes Page：8 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
HBR20120UBR	文件：586.94 Kbytes Page：8 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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产品属性

产品编号：
FSV20120V
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277-3
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO277-3

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