12 A，150 V 超低 VF 肖特基整流器

• 超低正向压降\n• 较低热阻\n• 极薄的外形： 典型高度为 1.1 mm\n• 沟道肖特基技术\n• 符合 RoHS 标准\n• 符合 IEC61249 标准的绿色塑封材料\n• 不含铅，符合 EU RoHS 2011/65/EU 法令;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FSV12150V；Package：TO-2773L；Ultra-Low VF Schottky Rectifier, 12 A, 150 V

Features • Ultra−Low Forward Voltage Drop • Low Thermal Resistance • Very Low Profile: Typical Height of 1.1 mm • Trench Schottky Technology • Green Molding Compound as per IEC61249 Standard • Non−DAP Option Only • These Devices are Pb−Free, Halogen Free and are RoHS Compliant

文件：187.3 Kbytes 页数：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277-3

ONSEMI

安森美半导体

Breake Away Header .025(0.64mm) Square Posts

[FOXCONN] Breake Away Header .025 (0.64mm) Square Posts

文件：153.19 Kbytes 页数：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Breake Away Header .025(0.64mm) Square Posts

[FOXCONN] Breake Away Header .025 (0.64mm) Square Posts

文件：153.19 Kbytes 页数：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Its characteristics are high energy density, small footprint and high discharge efficiency.

文件：870.49 Kbytes 页数：2 Pages

CSB-BATTERY

希世比能源