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MBRF20120CL	文件：150.98 Kbytes Page：2 Pages	FullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MBRF20120CT	文件：90.1 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRF20120CT	文件：192.33 Kbytes Page：4 Pages	MBRF20120CTSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRF20120D	文件：167.11 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPSIsolatedSchottkyBarrierRectifier Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇HighSurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MUR20120	文件：91.65 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastRecoveryDiodes FEATURES Internationalstandardpackage Glasspassivatedchips Veryshortrecoverytime Extremelylowlossesathighswitchingfrequencies LowIRM-values Softrecoverybehaviour APPLICATIONS Antiparalleldiodeforhighfrequencyswitchingdevices Antisaturationdiode *Sn	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
157
VRRM(V)：
120
IFSM(A)：
225
VF@IF(V)：
0.83
VF@IF(A)：
10
IR(mA)：
0.1

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