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FST20045	文件：143.89 Kbytes Page：2 Pages	Schottky PowerMod ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●200Amperes/35to50Volts ●175°CJunctionTemperature ●ReverseEnergyTested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST20045	文件：144.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A Features HighSurgeCapability TypesUpto45VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
FST20045	文件：120.66 Kbytes Page：2 Pages	Schottky PowerMod	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST20045	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode Schottky 45V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-244AB;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
FSTI20045	文件：119.48 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
LET20045C	文件：632.4 Kbytes Page：9 Pages	Excellentthermalstability	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MBR20045	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR20045	文件：118.17 Kbytes Page：2 Pages	180AmpSchottkyRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR20045	文件：121.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR20045CT	文件：133.83 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A 200AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
45V
Peak Reverse Current：
4000uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
2000A
Peak Forward Voltage：
0.8V
Operating Junction Temperature：
-55 to 175°C
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Continuous Forward Current：
200A
Configuration：
Dual Common Cathode

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