Schottky Barrier Diode

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NIEC

Schottky Barrier Diode

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NI

恩艾

Schottky Barrier Diode

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KSS

京瓷

650V 集成电源开关，带谷开关控制，用于 13W 离线反激转换器

谷底开关转换器(VSC)总体上呈现出比开关频率固定的传统硬开关转换器更低的EMI和更高的功率转换效率。FSQ系列是专为最少外部元件和交替谷底开关而设计的集成式脉宽调制(PWM)控制器和SenseFET。PWM控制器包括集成式固定频率振荡器、欠压闭锁(UVLO)、前沿消隐(LEB)、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精密电流源和自保护电路。与分立式MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSQ-series（H或M）既可减少总成本、组件数量、尺寸和重量，同时又能提高效率、生产力和系统可靠性。该器件具有非常适合以经济高效方式设计谷底开关反激转换器的基本平台。 •针对谷底开关(VSC)进行了优化
\n•通过变频控制和固有频率调制实现低EMI
\n•通过最小电压开关实现高效率
\n•在宽负载和输入电压变化时狭窄的频率变化范围
\n•先进的突发模式运行可实现低待机功耗
\n•逐脉冲限流
\n• 各种保护功能：过载保护 (OLP)、过压保护 (OVP)、异常过流保护 (AOCP)、内部热关断 (TSD)\n•带滞后的欠压闭锁 (UVLO)\n•内部启动电路\n•内部高电压感应 FET (650 V)\n•内置软启动 (15 ms);

ONSEMI

安森美半导体

具有100kHz 的 700V 集成电源开关，用于 13W 离线反激转换器

FSQ0170RNA和FSQ0270RNA包含集成式电流模式脉宽调制器(PWM)和耐雪崩700V Sense FET。它专门设计用于外部组件最少的高性能离线开关电源(SMPS)。集成的PWM控制器特性包括：固定频率生成振荡器、欠压闭锁(UVLO)保护、前沿消隐(LEB)、优化的栅极接通/关断驱动器、热关断(TSD)保护和用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精密电流源。与分立式MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案相比，FSQ0170RNA和FSQ0270RNA能够减少组件总数、设计尺寸和重量，同时提高效率、生产力和系统可靠性。这些器件提供了一个非常适合经济高效的反激式转换器设计的基础平 •内部雪崩耐用 700 V SenseFET\n•在230 VAC和0.5W负载条件下，利用突发模式操作，功耗仅0.8W\n•精确的固定工作频率，100kHz\n•内部启动电路和内置软启动\n•逐脉冲限流和自动重启模式\n•过压保护(OVP)、过载保护(OLP)、内部热关断功能(TSD)\n•欠压闭锁(UVLO)\n•低工作电流 (3 mA)\n•可调节峰值限流;

ONSEMI

安森美半导体

交流/直流转换器 SMPS Power switch 2A, 650V

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-SMD，鸥翼；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关 描述：IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP

ONSEMI

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