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IRF430	文件：211.24 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs(on)athighvoltage •Improvedinductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapactiance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablitiy •TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF430	文件：141.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF430	文件：21.34 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF430	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=4.5A) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddi	IRF International Rectifier	IRF
IRF430	文件：56.66 Kbytes Page：7 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF430	文件：153.46 Kbytes Page：3 Pages	4.5A,500V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchi	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF430	文件：48.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFE430	文件：129.12 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETTRANSISTOR 500Volt,1.50Ω,HEXFET Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.TheLCCprovidesdesignerstheextraflexibilitytheyneedtoincreasecircuitboarddensity.InternationalRectifierhasengineeredtheLCCpa	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
FSL430D
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	FSL4310Z	IR	2447	TO262	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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