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IRF430中文资料三星数据手册PDF规格书

IRF430
厂商型号

IRF430

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

211.24 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

SAMSUNG三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 17:44:00

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IRF430规格书详情

FEATURES

• Low RDs(on) at high voltage

• Improved inductive ruggedness

• Excellent high voltage stability

• Fast switching times

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Low input capactiance

• Extended safe operating area

• Improved high temperature reliablitiy

• TO-3 package (High voltage)

产品属性

  • 型号:

    IRF430

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 500V 4.5A 2PIN TO-204AA - Bulk

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    HEXFET, HI-REL - Bulk

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-3

  • 功能描述:

    MOSFET, N, TO-3

  • 功能描述:

    N CH MOSFET, 500V, 4.5A, TO-204AA; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    4.5A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    500V; On Resistance

  • Rds(on):

    1.5ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

  • 制造商:

    Int'L Rectifier

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