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FSBB10CH120D数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

FSBB10CH120D

参数属性

FSBB10CH120D 封装/外壳为27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm);包装为托盘;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:MODULE SPM 1.2V 10A 27PWRDIP

功能描述

智能功率模块,1200V,10A
MODULE SPM 1.2V 10A 27PWRDIP

封装外壳

27-PowerDIP 模块(1.205",30.60mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 14:31:00

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FSBB10CH120D规格书详情

描述 Description

FSBB10CH120D 是一款先进的 Motion SPM® 3 模块,为交流感应、BLDC 和 PMSM 电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些模块集成了内置 IGBT 已优化的栅极驱动,从而最小化 EMI 和损耗,同时提供多种模块化保护特性,包括欠压锁定、过流关断和故障报告。 内置高速 HVIC 仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压、高电流驱动信号,从而有效驱动模块的内部 IGBT。 独立负 IGBT 引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。

特性 Features

•1200 V - 10 A 三相 IGBT 逆变器,带积分栅极驱动器和保护功能
•低功耗、额定短路 IGBT
•使用 Al2O3陶瓷基质实现极低热阻
•专用 Vs 引脚能够简化 PCB 布局
•低侧 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流检测
•单相接地电源
•绝缘等级: 2500 Vrms/分

应用 Application

• 运动控制-家用设备/工业电机

简介

FSBB10CH120D属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FSBB10CH120D功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FSBB10CH120D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Family

    :SPM® 3 Series

  • Type

    :Inverter

  • Substrate

    :DBC

  • Input Logic

    :Active High

  • Rated Voltage Min (V)

    :1200

  • IO @ 25 °C Min (A)

    :10

  • VCE(sat) @ 25 °C Typ (V)

    :2.2

  • Emitter Configuration

    :3 emitter pins

  • Shutdown Pin

    :No

  • Mounting Type

    :AL203 DBC DIP

  • Package Type

    :DIP-027

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