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FSB50825US数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

FSB50825US

参数属性

FSB50825US 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD

功能描述

智能功率模块,250V,8A
IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:24:00

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FSB50825US规格书详情

描述 Description

FSB50825US 是一款先进的 Motion SPM® 5 系列,基于快速恢复 MOSFET (FRFET®) 技术,可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。由六个 FRFET MOSFET 和三个半桥门极驱动 HVIC 组成。FSB50825US 提供低电磁干扰 (EMI) 特征,具有优化开关速度。而且,因为它采用 MOSFET 作为电源开关,所以与基于 IGBT 的电源模块相比,坚固性高很多,安全运行区域 (SOA) 也更大。该封装针对在空间有限应用中使用的热性能和紧凑型进行了优化。对于需要高能效、紧凑性和低电磁干扰的逆变器来说,FSB50825US 是非常合适的方案。

特性 Features

•250V RDS(on)=0.45Ω (最大值)三相FRFET逆变器 包括高压集成电路 (HVIC)
•三个独立负直流链路端子,实现逆变器电流感测应用
•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护
•高电平有效接口,可用于 3.3V/5V 逻辑电平
•针对低电磁干扰进行优化
•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。
•表面贴装器件封装
•湿度敏感等级(MSL) 3

应用 Application

运动控制-家用设备/工业电机

简介

FSB50825US属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FSB50825US功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FSB50825US

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 功率驱动器模块

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD

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