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FSB50550UTD中文资料Motion SPM® 5 系列数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FSB50550UTD

参数属性

FSB50550UTD 封装/外壳为23-PowerDIP 模块(0.748",19.00mm);包装为散装;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:MOD SPM 500V 2A SPM23-ED

功能描述

Motion SPM® 5 系列
MOD SPM 500V 2A SPM23-ED

封装外壳

23-PowerDIP 模块(0.748",19.00mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 17:10:00

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FSB50550UTD规格书详情

描述 Description

FSB50550UTD 是先进 SPM® 5 系列产品,基于快速恢复 MOSFET(FRFET®)技术,用作小功率电机驱动应用(如风扇和泵)的紧凑型逆变器解决方案。 它由六个 FRFET MOSFET 产品和三个半桥栅极驱动 HVIC 组成。 FSB50550UTD具有低电磁干扰(EMI)特性以及优化的开关速度。 此外,由于它采用 MOSFET 作为电源开关,因此,它具有比 IGBT 功率模块更强的耐用性和更大的安全工作区 (SOA)。 该封装针对热性能和紧凑性进行了优化,以便用于空间有限的应用。 FSB50550UTD 是要求高能效、小型化以及低电磁干扰逆变器的最佳解决方案。

特性 Features

•500V RDS(on)=1.4Ω (最大值)三相FRFET逆变器,包括高电压集成电路(HVIC)
•三个独立负直流链路端子,实现逆变器电流感测应用
•HVIC可实现栅极驱动和欠压保护
•高电平有效接口,可用于 3.3V/5V 逻辑电平
•针对低电磁干扰进行优化
•1500Vrms/1min 的额定隔离电压。
•PCB隔离的扩展VB引脚
•封装中的嵌入式自举二极管

应用 Application

运动控制-家用设备/工业电机

简介

FSB50550UTD属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FSB50550UTD功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FSB50550UTD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 功率驱动器模块

  • 系列:

    Motion SPM® 5

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    MOSFET

  • 配置:

    3 相

  • 电压 - 隔离:

    1500Vrms

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    23-PowerDIP 模块(0.748",19.00mm)

  • 描述:

    MOD SPM 500V 2A SPM23-ED

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