FSB50660SFT数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

描述 Description

FSB50660SF 和 FSB50660SFT 是基于超级结 MOSFET (SuperFET) 技术的 Motion SPM5 SuperFET 系列产品，作为紧凑型逆变器解决方案，用于小功率电机驱动应用，如冰箱、电扇和泵。FSB50660SF 和 FSB50660SFT 包含六个 SuperFET MOSFET、三个具有温度感测功能的半桥栅极驱动器 HVIC 及三个自举二极管，在一个紧凑型封装中完全隔离并进行优化，以实现热性能。尤其是采用 SuperFET MOSFET 的体二极管具有快速反向恢复的特性。FSB50660SF 和 FSB50660SFT 通过优化开关速度和减少寄生电感具有低电磁干扰 (EMI) 特性。由于使用 MOSFET 作为电源开关，FSB50660SF 和 FSB50660SFT 比 IGBT 功率模块具有强得多的耐用性和更大的安全工作区 (SOA)。FSB50660SF 和 FSB50660SFT 是用于装配空间受到限制的紧凑型可靠逆变器设计的适用解决方案。

特性 Features

•通过UL第 E209204号认证
•600 V RDS(on)= 700 mΩ（最大值）SuperFET MOSFET 三相逆变器，包括 HVIC
•低端 MOSFET 的三个独立开源引脚用于三支路电流感测
•栅极驱动和欠压保护的HVIC
•高电平有效接口，可用于 3.3 V/5 V 逻辑
•针对低电磁干扰进行优化
•1500 Vrms/1 min 的额定隔离电压。
•内置于HVIC的温度感测
•封装中的嵌入式自举二极管

简介

FSB50660SFT属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的FSB50660SFT功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件（通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上，后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度，并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。