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FS8205

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:767.61 Kbytes 页数:6 Pages

Fortune

富晶电子

FS8205

锂电池保护MOSFET

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve low \non-resistance, extremely efficient and cost-effective device best suited for lithium-ion \nBattery charging and discharging switch .\nThe SOT23-6 package is universally used for all commercial-industrial applications. •Low on-resistance\n•RDS(ON) = 36 mΩ MAX. (VGS = 2.5V, ID = 5A)\n•Common-drain type;

Fortune

富晶电子

FS8205A

Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:758.27 Kbytes 页数:6 Pages

Fortune

富晶电子

FS8205A

Dual N-Channel Enhancement Power Mosfet

Techpublic

台舟电子

技术参数

  • BV (V):

    20

  • VGS (V):

    ±12

  • VTH (V):

    0.7

  • RDS (ON) (Typ.)(mΩ)VGS=4.5v:

    27

  • RDS (ON) (Typ.) @VGS=2.5v (mΩ):

    36

  • ID (A):

    6

  • ESD:

    SOT-23-6

  • Package:

    SOT-23-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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富晶
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