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FS50SMJ-3	文件：41.96 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................150V ● rDS (ON) (MAX) ..............................................................30mΩ ● ID ............................................................................. 文件：41.96 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
FS50SMJ-3	文件：47.19 Kbytes Page：4 Pages	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE HIGH-SPEED SWITCHING USE ● 4V DRIVE ● VDSS ................................................................................150V ● rDS (ON) (MAX) ..............................................................30mΩ ● ID ............................................................................. 文件：47.19 Kbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
FS50SMJ-3	文件：198.03 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS: 150 V • rDS(ON) (max): 30 mΩ • ID: 50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 125 ns 文件：198.03 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FS50SMJ-3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
FS50SMJ-3-A8	文件：198.03 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS: 150 V • rDS(ON) (max): 30 mΩ • ID: 50 A • Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 125 ns 文件：198.03 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO3P*
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
150
ID (A)：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.03
Ciss (pF) 典型值：
8200
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多FS50SMJ-3供应商更新时间2026-1-28 10:20:00

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