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GC1310	文件：290.19 Kbytes Page：4 Pages	ENHANCEDPERFORMANCESURFACEMOUNTEPSMPACKAGEDDEVICES DESCRIPTION OurEPSMpackageddevicesaredesignedforthemostdemandingcommercialandMilitaryrequirementswheretheinconsistentperformanceinherentinplasticsurfacemountpackagescannotbetolerated.Thesepackagestylesextendthesurfacemountconstructionformatto6GHzforhighper	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GC1310	文件：158.2 Kbytes Page：3 Pages	ENHANCEDPERFORMANCESURFACEMOUNTEPSM?줙yperabruptVaractorDiodesTM	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GDT1310	文件：188.69 Kbytes Page：1 Pages	GateDriverTransformerType:GDT>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
GDT1310	文件：8.231559 Mbytes Page：156 Pages	GENERALPRODUCTSCATALOG	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA
HMIGTO1310	文件：186.29 Kbytes Page：8 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,320x240pixelsQVGA,3.5TFT,96MB	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO1310FC	文件：96.03 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,3.5ColorTouchQVGATFT,coateddisplay	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO1310FCW	文件：101.09 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,3.5ColorTouchQVGATFT,coateddisplaywithoutlogo	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HMIGTO1310FW	文件：101.07 Kbytes Page：3 Pages	Advancedtouchscreenpanel,HarmonyGTO,3.5ColorTouchQVGATFT,logoremoved	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
HW1310ALPL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HW1310BKPL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310AL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310BK	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HY1310D	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1310U	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1310V	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
IIRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1310N	文件：96.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1310NL	文件：156.84 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310NL	文件：1.16562 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华斯顿科技有限公司	FS1310	FORTHSEMI	22+23+	SOT23-6	68554	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	FS1310	FORSEMI	2018+	SOT23-6	13692	专业代理升压IC型号齐全公司优势产品	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	FS1310	FORSEMI	24+	SOT23-6	362652	专业代理升压IC型号齐全公司优势产品	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	FS1310	FORTHSEMI	23+	SOT23-6	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FS1310	FORSEMI	23+	SOT23-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FS1310	FORSEMI	23+	SOT23-6	434347	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威雅利发展有限公司	FS1310	FORTHSEMI	16+	SOT23-6	820	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市华鑫创达电子有限公司	FS1310	FORTHSEMI	22+	SOT23-6	10000	公司原装现货,欢迎咨询	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	FS1310	FORTHSEMI	24+	SOT23-6	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市博中泰实业有限公司	FS1310	FORSEMI	23+	原装正品现货	10000	SOT23-6	询价

更多FS1310供应商更新时间2024-9-24 10:48:00

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