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FS10ASJ-06F	文件：103.38 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET Features • Drive voltage : 4 V • VDSS : 60 V • rDS(ON) (max) : 70 mΩ • ID : 10 A • Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 30 ns 文件：103.38 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FS10ASJ-06F_15	文件：123.45 Kbytes Page：9 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 文件：123.45 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FS10ASJ-06F-T13	文件：1.80157 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.80157 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FS10ASJ-06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP3A
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.07
Ciss (pF) 典型值：
750
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博中泰实业有限公司	FS10ASJ-06F	RENESAS/瑞萨	24+	TO-252	60000	全新原装现货	询价
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更多FS10ASJ-06F供应商更新时间2026-2-1 15:01:00

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