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FS100R12W2T7	文件：987.16 Kbytes Page：11 Pages	EasyPACK??Modul mit TRENCHSTOP??IGBT7 und Emitter Controlled 7 Diode und NTC 文件：987.16 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100R12W2T7_B11	文件：743.24 Kbytes Page：11 Pages	EasyPACK??Modul mit TRENCHSTOP??IGBT7 und Emitter Controlled 7 Diode und PressFIT / NTC 文件：743.24 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100R17KE3	文件：462.2 Kbytes Page：8 Pages	IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter 文件：462.2 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100R17KE3	文件：288.48 Kbytes Page：7 Pages	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter 文件：288.48 Kbytes 页数：7 Pages	EUPEC	EUPEC
FS100R17KS4F	文件：531.58 Kbytes Page：9 Pages	EconoPACK3 module with fast IGBT2 and SiC Diode for high frequency switching and NTC 文件：531.58 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100R17N3E4	文件：691.27 Kbytes Page：9 Pages	EconoPACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC 文件：691.27 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100R17N3E4_B11	文件：542.56 Kbytes Page：9 Pages	Modul mitt Trench/Feldstopp IGB4 文件：542.56 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100R17PE4	文件：1.7143 Mbytes Page：9 Pages	EconoPACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC 文件：1.7143 Mbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
FS100UMJ-03F	文件：102.97 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 文件：102.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FS100UMJ-03F-A8	文件：102.97 Kbytes Page：7 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 文件：102.97 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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技术参数

设计：
浸入式
过程连接：
G 1/4”外螺纹
杆长(L1)：
45 mm
浸入深度(L)：
16.9 mm
介质：
液体
工作电压：
10…33 VDC
开关元件功能：
NC/NO可编程
输出性能：
PNP/NPN
通信协议：
IO-Link
电气连接：
接插件
接插件型号：
M12 × 1
外壳材料：
1.4404 (AISI 316L)
介质温度（最低）：
-25
介质温度（最高）：
85
最低环境温度：
-40
最高环境温度：
85
防护等级：
IP66/IP67/IP69K
认证：
UL

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