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FS10ASJ-03	文件：378.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：378.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FS10ASJ-03_15	文件：98.4 Kbytes Page：7 Pages	HIGH-SPEED SWITCHING USE 文件：98.4 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FS10ASJ-06	文件：379.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：379.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FS10ASJ-06F_15	文件：123.45 Kbytes Page：9 Pages	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET 文件：123.45 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
FS10ASJ-06F-T13	文件：1.80157 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.80157 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FS10ASJ-2	文件：378.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：378.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FS10ASJ-3	文件：378.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：378.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FS10B	文件：621.86 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Ampere Surface Mount Round Lead Fast Recovery Rectifier Diodes 文件：621.86 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FS10D	文件：621.86 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Ampere Surface Mount Round Lead Fast Recovery Rectifier Diodes 文件：621.86 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
FS10G	文件：621.86 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Ampere Surface Mount Round Lead Fast Recovery Rectifier Diodes 文件：621.86 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

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技术参数

设计：
浸入式
过程连接：
G 1/4”外螺纹
杆长(L1)：
45 mm
浸入深度(L)：
16.9 mm
介质：
液体
工作电压：
10…33 VDC
开关元件功能：
NC/NO可编程
输出性能：
PNP/NPN
通信协议：
IO-Link
电气连接：
接插件
接插件型号：
M12 × 1
外壳材料：
1.4404 (AISI 316L)
介质温度（最低）：
-25
介质温度（最高）：
85
最低环境温度：
-40
最高环境温度：
85
防护等级：
IP66/IP67/IP69K
认证：
UL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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