FQU9N25数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQU9N25规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•7.4A, 250V, RDS(on)= 420mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.7A栅极电荷低（典型值：15.5nC)
•低 Crss（典型值15pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQU9N25
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：250
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：7.4
- PD Max (W)
：55
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：420
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：15.5
- Ciss Typ (pF)
：540
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
24+ |
TO-251 |
8866 |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
I-PAKTO-251 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-251 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-251(IPAK) |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-251 |
5000 |
原装库存 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-251 |
89000 |
特价特价100原装长期供货. |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
harris |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
询价 |
