首页>FQU9N25>规格书详情

FQU9N25中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 250 V,7.4 A,420 mΩ,IPAK数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FQU9N25

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 250 V,7.4 A,420 mΩ,IPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 16:01:00

人工找货

FQU9N25价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQU9N25规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•7.4A, 250V, RDS(on)= 420mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3.7A栅极电荷低(典型值:15.5nC)
•低 Crss(典型值15pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQU9N25

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :250

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :7.4

  • PD Max (W)

    :55

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :420

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15.5

  • Ciss Typ (pF)

    :540

  • Package Type

    :IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
I-PAKTO-251
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
FAI
25+23+
TO251
72879
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
I-PAKTO-251
18000
原装正品
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
FAIRC
2023+
TO-251(IPAK)
50000
原装现货
询价
FAIRC
23+
TO-251(IPAK)
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
ON
2022+
IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
Fairchild/ON
23+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
7000
询价
FAIRCHIL
24+
TO-251
8866
询价
FSC
24+
NA
27003
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价