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FQT2P25中文资料P 沟道,QFET® MOSFET,-250 V,-0.55 A,4.0Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQT2P25

功能描述

P 沟道,QFET® MOSFET,-250 V,-0.55 A,4.0Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 12:00:00

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FQT2P25规格书详情

描述 Description

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器。

特性 Features

•-0.55 A、-250 V、RDS(on) = 4.0 Ω(最大值)@ VGS = -10 V、ID = -0.275 A
•低栅极电荷(典型值 6.5 nC)
•低 Crss(典型值 6.5 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• High Efficiency Switching DC/DC Converters

技术参数

  • 制造商编号

    :FQT2P25

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-250

  • VGS Max (V)

    :-5

  • VGS(th) Max (V)

    :-5

  • ID Max (A)

    :-0.55

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.5

  • Ciss Typ (pF)

    :190

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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