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FQPF9N50	文件：717.93 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET 500V N-Channel MOSFET 文件：717.93 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF9N50	文件：723.54 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET 500V N-Channel MOSFET 文件：723.54 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF9N50	文件：277.39 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=5.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.73Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：277.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF9N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQPF9N50C	文件：278.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：278.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF9N50C	文件：620.41 Kbytes Page：17 Pages	PFCPWM Combination Controller Introduction This application note describes step-by-step design considerations for a power supply using the FAN480X controller. The FAN480X combines a PFC controller and a PWM controller. The PFC controller employs average current mode control for Continuous Conduction Mode (CCM) boost converter 文件：620.41 Kbytes 页数：17 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF9N50C	文件：851.09 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：851.09 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF9N50C	文件：845.6 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with 文件：845.6 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF9N50CF	文件：767.08 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high 文件：767.08 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQPF9N50CF	文件：278.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.85Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：278.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
500
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
9
PD Max (W)：
44
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
850
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28
Ciss Typ (pF)：
790
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	FQPF9N50	仙童	06+	TO-220F	4000	原装	询价
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更多FQPF9N50供应商更新时间2025-12-1 17:03:00

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