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KF7N65F	文件：584.66 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N65FM	文件：388.95 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N65P	文件：584.66 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=650V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF7N65P	文件：1.10759 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KSM7N65	文件：666.68 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM7N65C	文件：2.17256 Mbytes Page：7 Pages	650VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB7N65	文件：657.25 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD7N65	文件：743.13 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF7N65	文件：713.7 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF7N65C	文件：2.17256 Mbytes Page：7 Pages	650VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
FQPF7N65C
功能描述：
MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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