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HM7N65K	文件：506.69 Kbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS7N65I	文件：490.98 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS7N65K	文件：490.98 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HRH7N65AD	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AF	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AFT	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AP	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AU	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH7N65AX	文件：2.26513 Mbytes Page：12 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤1.4Ω@Vgs=10V,Id=3.5A gateCharge(typicaltypical23.05nC) Crss(typicaltypical2.2pF) Fastswitchingcapability %avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply( UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
JCS7N65B	文件：644.7 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical16pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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详细参数

型号：
FQPF7N65C
功能描述：
MOSFET 650V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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