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FQPF7N60中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

FQPF7N60
厂商型号

FQPF7N60

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

780.44 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称

KERSEMI

中文名称

Kersemi Electronic Co., Ltd.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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FQPF7N60规格书详情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Corise Semiconductorÿs proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply

特性 Features

• 4.3A, 600V, RDS(on) = 1.0Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 29 nC)

• Low Crss ( typical 16 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

产品属性

  • 型号:

    FQPF7N60

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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