FQPF70N10中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 100V，35A，23mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQPF70N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
• \"
•35A, 100V, RDS(on)= 23mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 17.5A栅极电荷低（典型值：85nC)
•低 Crss（典型值150pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
•175°C maximum junction temperature rating\"
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQPF70N10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：35
- PD Max (W)
：62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：85
- Ciss Typ (pF)
：2500
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-220F |
1709 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-220F |
2500 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
2023+ |
TO220 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
TO220 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220 |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
询价 |
