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FQPF30N06	文件：645.31 Kbytes Page：8 Pages	60V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF30N06	文件：278.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.04Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF30N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel MOSFET;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQPF30N06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，22.5 A，52 mΩ，TO-220F; •22.5A, 60V, RDS(on)= 52mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 11.3A栅极电荷低（典型值：15nC)\n•低 Crss（典型值50pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating\n; 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQPF30N06L	文件：278.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.035Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF30N06L	文件：653.96 Kbytes Page：8 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF30N06L	文件：2.14025 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
22.5
PD Max (W)：
38
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
45
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
35
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
15
Ciss Typ (pF)：
800
Package Type：
TO-220-3 FullPak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQPF30N06	ONSEMI/安森美	25+	TO-220F	20300	ONSEMI/安森美原装特价FQPF30N06即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF30N06	onsemi(安森美)	24+	TO-220F	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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深圳市恒创达实业有限公司	FQPF30N06	FSC进口原	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	FQPF30N06	FCS	2020+	TO-220F	50	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQPF30N06	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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更多FQPF30N06供应商更新时间2025-7-28 20:12:00

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