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FQPF15N65SE

650V N-Channel沟道

KTP

科泰普

KTP

GF15N65SS

650V/15A Trench and Field Stop IGBT

Features:  High ruggedness performance.  10μs short circuit capability.  Positive VCE (sat) temperature coefficient.  High efficiency for motor control.  Excellent current sharing in parallel operation.  RoHS compliant. Applications:  Home appliances  Motor drives  General inver

文件:4.52305 Mbytes 页数:9 Pages

LUGUANG

鲁光电子

HMG15N65

650V /15A Trench Field Stop IGBT

文件:1.51652 Mbytes 页数:10 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HMG15N65D

650V /15A Trench Field Stop IGBT

文件:1.51652 Mbytes 页数:10 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    650V

  • 连续漏极电流(Id):

    15A

  • 导通电阻(RDS(on)):

    0.52Ω@10V

  • 耗散功率(Pd):

    60W

  • 阈值电压(Vgs(th)):

    4V

  • 栅极电荷量(Qg):

    63nC@10V

  • 输入电容(Ciss):

    2450pF@25V

  • 反向传输电容(Crss):

    23.6pF@25V

  • 工作温度:

    -55℃~+150℃

  • 类型:

    N沟道

  • 输出电容(Coss):

    295pF@25V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220F
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AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
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更多FQPF15N65供应商 更新时间2024-4-11 18:15:00