FQPF11P06中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-8.6 A，175 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF11P06规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-8.6A, -60V, RDS(on)= 175mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -4.3A栅极电荷低（典型值：13nC)
•低 Crss（典型值45pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• LCD 电视
• PDP电视
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQPF11P06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-8.6
- PD Max (W)
：30
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：175
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：420
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-220F |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-220F |
17594 |
询价 | |||
仙童 |
05+ |
TO-220F |
1200 |
原装进口 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-220F3L |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+ |
TO220 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO220F |
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TO-220F(TO-220IS) |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
8866 |
询价 |
