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FQP9N90C	文件：842.04 Kbytes Page：10 Pages	900V N-Channel MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP9N90C	文件：296.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP9N90C	文件：1.12742 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET MOSFET 900 V, 8.0 A, 1.4 Ohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP9N90C	文件：1.75557 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 8.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
9N90	文件：299.08 Kbytes Page：6 Pages	900VN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9N90	文件：433.85 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheUTC9N90usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤1.2Ω@VGS=10V,ID=4.5A U	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9N90	文件：407.13 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell9N90isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof9A,fastswitchi	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
9N90	文件：255.65 Kbytes Page：6 Pages	9A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9N90H	文件：178.3 Kbytes Page：7 Pages	9A900VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
9N90L	文件：58.2 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed •DESCRIPTION •DrainCurrentID=9A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) •FastSwitchingSpeed •APPLICATIONS •Generalpurposepoweramplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
9N90-Q	文件：246.23 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC9N90-QusesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9N90S	文件：140.39 Kbytes Page：7 Pages	9A900VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
AOK9N90	文件：422.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOK9N90	文件：295.6 Kbytes Page：5 Pages	900V,9AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF9N90	文件：301.26 Kbytes Page：5 Pages	900V,9AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOTF9N90	文件：295.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FIR9N90AFG	文件：2.10812 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR9N90ANG	文件：2.19176 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR9N90APG	文件：2.31293 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FML9N90	文件：116 Kbytes Page：2 Pages	9Amps900VoltageNChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWisdom’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyswitchmod	FCI Amphenol ICC

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详细参数

型号：
FQP9N90C
功能描述：
MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQP9N90C	onsemi	23+	TO-220-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	FQP9N90C	FAIRCHILD	23+	TO-220	564800		询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQP9N90C	onsemi(安森美)	23+	TO-220	7828	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FQP9N90C供应商更新时间2024-4-28 10:12:00

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