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FQP8P10中文资料功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-100 V,-8 A,530 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQP8P10

功能描述

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-100 V,-8 A,530 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 15:04:00

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FQP8P10规格书详情

描述 Description

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•-8A, -100V, RDS(on)= 530mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -4A栅极电荷低(典型值:12nC)
•低 Crss(典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating

应用 Application

• 其他音频与视频

技术参数

  • 制造商编号

    :FQP8P10

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-100

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-8

  • PD Max (W)

    :65

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :530

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :360

  • Package Type

    :TO-220-3

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