FQP8N90C中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 6.3A, 1.9Ω数据手册ONSEMI规格书
FQP8N90C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•6.3A, 900V, RDS(on)= 1.9Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.15A栅极电荷低（典型值：35nC)
•低 Crss（典型值12pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQP8N90C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：6.3
- PD Max (W)
：171
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1900
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：35
- Ciss Typ (pF)
：1600
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-220 |
16331 |
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三年内 |
1983 |
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询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
1000 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
45000 |
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