FQP85N06中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，85 A，10 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FQP85N06规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•85A, 60V, RDS(on)= 10mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 42.5A栅极电荷低（典型值：86nC)
•低 Crss（典型值165pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
：FQP85N06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：85
- PD Max (W)
：160
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：10
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：86
- Ciss Typ (pF)
：3170
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3380 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO220 |
8850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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TO-220 |
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FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220 |
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ONSEMI |
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