800V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w

文件：906.79 Kbytes 页数：10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.55Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：296.46 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

8.0A,800V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件：2.54925 Mbytes 页数：8 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

800V N-Channel MOSFET

文件：1.29641 Mbytes 页数：10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

800V N-Channel MOSFET

文件：1.28564 Mbytes 页数：12 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，8 A，1.55 Ω，TO-220

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •8A, 800V, RDS(on)= 1.55Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4A栅极电荷低（典型值：35nC)\n•低 Crss（典型值13pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n• RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体